Abstract
Single-electron transistors can be fabricated in AlGaAs/GaAs heterostructures in different ways. Besides conventional ways to produce lateral and vertical tunneling structures the overgrowth of patterned substrates is presented as a new method to obtain complete transistors. Single-electron tunneling through single and coupled quantum dots is shown and the possibilities of doing spectroscopy of electronic states are discussed.
| Originalsprache | Englisch |
|---|---|
| Seiten (von - bis) | 82-86 |
| Seitenumfang | 5 |
| Fachzeitschrift | Physica B: Condensed Matter |
| Jahrgang | 227 |
| Ausgabenummer | 1-4 |
| DOIs | |
| Publikationsstatus | Veröffentlicht - Sept. 1996 |
| Extern publiziert | Ja |
ASJC Scopus Sachgebiete
- Elektronische, optische und magnetische Materialien
- Physik der kondensierten Materie
- Elektrotechnik und Elektronik
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