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Single-electron transistors with quantum dots

  • R. J. Haug*
  • , M. Dilger
  • , T. Schmidt
  • , R. H. Blick
  • , K. V. Klitzing
  • , K. Eberl
  • *Korrespondierende*r Autor*in für diese Arbeit

Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

Abstract

Single-electron transistors can be fabricated in AlGaAs/GaAs heterostructures in different ways. Besides conventional ways to produce lateral and vertical tunneling structures the overgrowth of patterned substrates is presented as a new method to obtain complete transistors. Single-electron tunneling through single and coupled quantum dots is shown and the possibilities of doing spectroscopy of electronic states are discussed.

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)82-86
Seitenumfang5
FachzeitschriftPhysica B: Condensed Matter
Jahrgang227
Ausgabenummer1-4
DOIs
PublikationsstatusVeröffentlicht - Sept. 1996
Extern publiziertJa

ASJC Scopus Sachgebiete

  • Elektronische, optische und magnetische Materialien
  • Physik der kondensierten Materie
  • Elektrotechnik und Elektronik

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